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1 Cuestion 1 (Diodos, portadores)

Solapas principales

Enviado por Anónimo (no verificado) en Dom, 12/15/2013 - 21:56

Image 2009Jun1C1

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Solucion:

La concentracion intrinseca en el material semiconductor viene dada por:

\begin{displaymath}n_{i}^2=n\,p\end{displaymath}

\begin{displaymath}p+N_{d}=n+N_{a}\end{displaymath}

\begin{displaymath}p\,n+N_{d}\,n=n^2\end{displaymath}

\begin{displaymath}n_{i}^2+N_{d}\,n=n^2\end{displaymath}

 

\begin{displaymath}(1.45\,10^10)^2+10^16\,n-n^2=0\end{displaymath}


 

La conentracion de electrones libres n en el material semiconductor en electrones/cm3 es:

 

\begin{displaymath}n=10^16\end{displaymath}


(errata es 10 elevado a 16)

La conentracion de huecos p en el material semiconductor en huecos/cm3 es:
 

 

\begin{displaymath}p=\frac{(1.45\,10^10)^2}{10^16}=2.1\,10^4\end{displaymath}


Tags:

Español
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